Новосибирские учёные из НГУ создали новый материал для флешек, который может стать основой для элементов памяти следующего поколения. Они первыми в мире обнаружили так называемый «мемристорный эффект» в германо-силикатных стёклах. Этот эффект позволяет переключать память из одного состояния в другое, при этом эти состояния могут сохраняться на длительное время.
Основное преимущество нового материала заключается в том, что он может значительно увеличить количество циклов перезаписи по сравнению с традиционной флеш-памятью. Исследования показывают, что германо-силикатные стёкла имеют уникальные характеристики, которые могут превзойти современные флешки по долговечности, эффективности и надёжности.
«И эти состояния хранятся достаточно долго. Мы наблюдали несколько тысяч переключений и пришли к выводу о необходимости исследовать механизмы переноса транспорта в таких материалах, чтобы в дальнейшем оптимизировать конструкцию мемристоров на их основе», — цитирует вуз профессора кафедры общей физики Владимира Володина.
По словам учёных, текущие технологии флеш-памяти достигли своего предела, и дальнейшее улучшение их характеристик невозможно без использования новых принципов. Новый тип памяти, на основе мемристоров, обещает преодолеть эти ограничения и открыть новые возможности для хранения данных в будущих электронных устройствах.
